Electro-Films (EFI) / Vishay| Número de pieza | SIR436DP-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 174638 pcs | Ficha de datos | SIR436DP-T1-GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 5W (Ta), 50W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 | Otros nombres | SIR436DP-T1-GE3-ND SIR436DP-T1-GE3TR SIR436DPT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1715pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 25V |
| Descripción detallada | N-Channel 25V 40A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
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