SIR403EDP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIR403EDP-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
Especificaciones:	SIR403EDP-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	252408 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 252408 pcs

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Especificaciones de SIR403EDP-T1-GE3

Número de pieza	SIR403EDP-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	252408 pcs	Ficha de datos	SIR403EDP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® SO-8
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	6.5 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo)	5W (Ta), 56.8W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® SO-8	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4620pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	153nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	P-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)

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