SIHU7N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHU7N60E-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Especificaciones:	SIHU7N60E-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	114636 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 114636 pcs

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Especificaciones de SIHU7N60E-GE3

Número de pieza	SIHU7N60E-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 600V 7A TO-251	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	114636 pcs	Ficha de datos	SIHU7N60E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	78W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Otros nombres	SIHU7N60EGE3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	40nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole I-PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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