SIHH11N65EF-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHH11N65EF-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
Especificaciones:	SIHH11N65EF-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	18939 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18939 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.847

10 pcs: $1.651

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Especificaciones de SIHH11N65EF-T1-GE3

Número de pieza	SIHH11N65EF-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	18939 pcs	Ficha de datos	SIHH11N65EF-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® 8 x 8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	382 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	130W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	SIHH11N65EF-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1243pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	70nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 11A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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