SIHA2N80E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHA2N80E-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA
Especificaciones:	SIHA2N80E-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	95836 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 95836 pcs

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Especificaciones de SIHA2N80E-GE3

Número de pieza	SIHA2N80E-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	95836 pcs	Ficha de datos	SIHA2N80E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220 Full Pack
Serie	E	RDS (Max) @Id, Vgs	2.75 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	29W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	SIHA2N80E-GE3TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 2.8A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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