Electro-Films (EFI) / Vishay
| Número de pieza | SI9945BDY-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 261294 pcs | Ficha de datos | SI9945BDY-T1-GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Potencia - Max | 3.1W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | SI9945BDY-T1-GE3-ND SI9945BDY-T1-GE3TR SI9945BDYT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A | Número de pieza base | SI9945 |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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