SI8466EDB-T2-E1

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI8466EDB-T2-E1
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
Especificaciones:	SI8466EDB-T2-E1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	553896 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 553896 pcs

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Especificaciones de SI8466EDB-T2-E1

Número de pieza	SI8466EDB-T2-E1	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	553896 pcs	Ficha de datos	SI8466EDB-T2-E1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±5V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	4-Microfoot
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	43 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	780mW (Ta), 1.8W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	4-UFBGA, WLCSP	Otros nombres	SI8466EDB-T2-E1TR SI8466EDBT2E1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 4V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	8V
Descripción detallada	N-Channel 8V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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