SI7983DP-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI7983DP-T1-E3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
Especificaciones:	SI7983DP-T1-E3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6261 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6261 pcs

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Especificaciones de SI7983DP-T1-E3

Número de pieza	SI7983DP-T1-E3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6261 pcs	Ficha de datos	SI7983DP-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 600µA	Paquete del dispositivo	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	17 mOhm @ 12A, 4.5V
Potencia - Max	1.4W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® SO-8 Dual	Otros nombres	SI7983DP-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	74nC @ 4.5V
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.7A	Número de pieza base	SI7983

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