SI7909DN-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI7909DN-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Especificaciones:	SI7909DN-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3720 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3720 pcs

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Especificaciones de SI7909DN-T1-GE3

Número de pieza	SI7909DN-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3720 pcs	Ficha de datos	SI7909DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 700µA	Paquete del dispositivo	PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Potencia - Max	1.3W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® 1212-8 Dual	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	24nC @ 4.5V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.3A

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