Electro-Films (EFI) / Vishay| Número de pieza | SI7309DN-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 196242 pcs | Ficha de datos | SI7309DN-T1-GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 115 mOhm @ 3.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | PowerPAK® 1212-8 | Otros nombres | SI7309DN-T1-GE3-ND SI7309DN-T1-GE3TR SI7309DNT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | P-Channel 60V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
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