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SI7159DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción del producto

Número de pieza: SI7159DP-T1-GE3
Fabricante / Marca: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Especificaciones: SI7159DP-T1-GE3.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 136092 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 136092 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
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Especificaciones de SI7159DP-T1-GE3

Número de pieza SI7159DP-T1-GE3 Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 136092 pcs Ficha de datos SI7159DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8
Serie TrenchFET® RDS (Max) @Id, Vgs 7 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo) 5.4W (Ta), 83W (Tc) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5170pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 180nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V Descripción detallada P-Channel 30V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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