SI5475DC-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI5475DC-T1-E3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Especificaciones:	SI5475DC-T1-E3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4390 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4390 pcs

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Especificaciones de SI5475DC-T1-E3

Número de pieza	SI5475DC-T1-E3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4390 pcs	Ficha de datos	SI5475DC-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	450mV @ 1mA (Min)	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	1206-8 ChipFET™
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	31 mOhm @ 5.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.3W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V
Descripción detallada	P-Channel 12V 5.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Ta)

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