SI5424DC-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI5424DC-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Especificaciones:	SI5424DC-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	351741 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 351741 pcs

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Especificaciones de SI5424DC-T1-GE3

Número de pieza	SI5424DC-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	351741 pcs	Ficha de datos	SI5424DC-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.3V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	1206-8 ChipFET™
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	24 mOhm @ 4.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 6.25W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead	Otros nombres	SI5424DC-T1-GE3TR SI5424DCT1GE3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	32nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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