SI4966DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4966DY-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Especificaciones:	SI4966DY-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2793 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2793 pcs

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Especificaciones de SI4966DY-T1-GE3

Número de pieza	SI4966DY-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2793 pcs	Ficha de datos	SI4966DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Potencia - Max	2W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	50nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-
Número de pieza base	SI4966

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Después de las ventas
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