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SI4848DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción del producto

Número de pieza: SI4848DY-T1-GE3
Fabricante / Marca: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
Especificaciones: SI4848DY-T1-GE3.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 58239 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 58239 pcs
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Especificaciones de SI4848DY-T1-GE3

Número de pieza SI4848DY-T1-GE3 Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 58239 pcs Ficha de datos SI4848DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA (Min) Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo 8-SO
Serie TrenchFET® RDS (Max) @Id, Vgs 85 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 1.5W (Ta) embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Otros nombres SI4848DY-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 21nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150V Descripción detallada N-Channel 150V 2.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)

Modo de transporte

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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