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Electro-Films (EFI) / Vishay
| Número de pieza | SI4840BDY-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 141417 pcs | Ficha de datos | SI4840BDY-T1-GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 9 mOhm @ 12.4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | SI4840BDY-T1-GE3-ND SI4840BDY-T1-GE3TR SI4840BDYT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V |
| Descripción detallada | N-Channel 40V 19A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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