SI4825DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4825DY-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
Especificaciones:	SI4825DY-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6928 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6928 pcs

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Especificaciones de SI4825DY-T1-GE3

Número de pieza	SI4825DY-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6928 pcs	Ficha de datos	SI4825DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	14 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.5W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	SI4825DY-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	71nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	P-Channel 30V 8.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.1A (Ta)

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