SI4800BDY-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4800BDY-T1-E3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Especificaciones:	SI4800BDY-T1-E3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	313380 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 313380 pcs

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Especificaciones de SI4800BDY-T1-E3

Número de pieza	SI4800BDY-T1-E3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	313380 pcs	Ficha de datos	SI4800BDY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	18.5 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.3W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	SI4800BDY-T1-E3TR SI4800BDYT1E3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	13nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Ta)

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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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