SI4413DDY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4413DDY-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
Especificaciones:
Condición de stock	105288 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 105288 pcs

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Especificaciones de SI4413DDY-T1-GE3

Número de pieza	SI4413DDY-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	105288 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	1.6V @ 250µA	Vgs (Max)	-
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	5.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 125°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4780pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	114nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Descripción detallada	P-Channel Surface Mount 8-SOIC	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-

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Después de las ventas
Especificaciones

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