SI3483CDV-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI3483CDV-T1-E3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
Especificaciones:	SI3483CDV-T1-E3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	174682 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 174682 pcs

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Especificaciones de SI3483CDV-T1-E3

Número de pieza	SI3483CDV-T1-E3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	174682 pcs	Ficha de datos	SI3483CDV-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-TSOP
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	34 mOhm @ 6.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2W (Ta), 4.2W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	SI3483CDV-T1-E3-ND SI3483CDV-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TA)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	33nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
UPS	www.UPS.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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