Electro-Films (EFI) / Vishay
| Número de pieza | SI2301CDS-T1-E3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1041662 pcs | Ficha de datos | SI2301CDS-T1-E3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 860mW (Ta), 1.6W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Otros nombres | SI2301CDS-T1-E3-ND SI2301CDS-T1-E3TR SI2301CDST1E3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | P-Channel 20V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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