SI1414DH-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI1414DH-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
Especificaciones:	SI1414DH-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	512884 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 512884 pcs

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Especificaciones de SI1414DH-T1-GE3

Número de pieza	SI1414DH-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	512884 pcs	Ficha de datos	SI1414DH-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-363
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	46 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.56W (Ta), 2.8W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	SI1414DH-T1-GE3-ND SI1414DH-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 8V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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