IRLD110

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRLD110
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Especificaciones:	IRLD110.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	3813 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3813 pcs

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Especificaciones de IRLD110

Número de pieza	IRLD110	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	3813 pcs	Ficha de datos	IRLD110.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	540 mOhm @ 600mA, 5V
La disipación de energía (máximo)	1.3W (Ta)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Otros nombres	*IRLD110
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.1nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)

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Después de las ventas
Especificaciones

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