IRFD210

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRFD210
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Especificaciones:	IRFD210.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	5637 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5637 pcs

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Especificaciones de IRFD210

Número de pieza	IRFD210	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	5637 pcs	Ficha de datos	IRFD210.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.5 Ohm @ 360mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Otros nombres	*IRFD210
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	600mA (Ta)

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Después de las ventas
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