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Electro-Films (EFI) / Vishay
| Número de pieza | IRFD110 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no compatible |
| cantidad disponible | 2771 pcs | Ficha de datos | IRFD110.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.3W (Ta) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Otros nombres | *IRFD110 IRFD111 IRFD112 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
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|---|---|---|
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