ZXMN2A04DN8TA

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZXMN2A04DN8TA
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Especificaciones:	ZXMN2A04DN8TA.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	66542 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66542 pcs

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Especificaciones de ZXMN2A04DN8TA

Número de pieza	ZXMN2A04DN8TA	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	66542 pcs	Ficha de datos	ZXMN2A04DN8TA.pdf
VGS (th) (Max) @Id	700mV @ 250µA (Min)	Paquete del dispositivo	8-SOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Potencia - Max	1.8W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	ZXMN2A04DN8TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1880pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	22.1nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.9A

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