Elija su país o región.

Close
Iniciar sesión Regístrese Email:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

DMTH8012LK3-13

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
DMTH8012LK3-13 Image
La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza: DMTH8012LK3-13
Fabricante / Marca: Diodes Incorporated
Descripción del producto MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Especificaciones: DMTH8012LK3-13.pdf
Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 237645 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 237645 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
2500 pcs
$0.162
Petición de oferta en línea
Complete todos los campos obligatorios con su información de contacto. Haga clic en " SUBMIT RFQ ". Nos pondremos en contacto con usted por correo electrónico. O envíenos un correo electrónico:Info@infinity-electronic.com
  • Precio objetivo:(USD)
  • Cantidad:
Total:$0.162

Indíquenos su precio objetivo si hay cantidades superiores a las que se muestran.

  • Número de pieza
  • Nombre de la empresa
  • Nombre de contacto
  • Email
  • Mensajes

Especificaciones de DMTH8012LK3-13

Número de pieza DMTH8012LK3-13 Fabricante Diodes Incorporated
Descripción MOSFET N-CH 80V 50A TO252 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 237645 pcs Ficha de datos DMTH8012LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-252, (D-Pak)
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 16 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.6W (Ta) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Otros nombres DMTH8012LK3-13DITR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1949pF @ 40V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 34nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 80V
Descripción detallada N-Channel 80V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak) Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL www.DHL.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
UPS www.UPS.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
TNT www.TNT.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

★ El tiempo de entrega será de 2 a 4 días en la mayor parte del país en todo el mundo por DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Por favor, no dude en contactarnos si tiene alguna pregunta sobre el envío. Envíenos un correo electrónico Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTÍA POST-VENTA

  1. A cada producto de Infinity-Semiconductor.com se le ha otorgado un período de garantía de 1 AÑO. Durante este período, podríamos proporcionar mantenimiento técnico gratuito si hay algún problema con nuestros productos.
  2. Si encuentra problemas de calidad en nuestros productos después de recibirlos, puede probarlos y solicitar un reembolso incondicional si se puede probar.
  3. Si los productos son defectuosos o no funcionan, puede devolvernos dentro de 1 AÑO, todos los gastos de transporte y de aduana de los productos correrán a cargo de nosotros.

Tags relacionados

Productos relacionados

DMTH6010SK3Q-13
DMTH6010SK3Q-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252
Existencias disponibles: 65996 pcs
Descargar: DMTH6010SK3Q-13.pdf
RFQ
DMTH6016LPSQ-13
DMTH6016LPSQ-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Existencias disponibles: 108524 pcs
Descargar: DMTH6016LPSQ-13.pdf
RFQ
DMTH6016LPS-13
DMTH6016LPS-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Existencias disponibles: 390545 pcs
Descargar: DMTH6016LPS-13.pdf
RFQ
DMTH6010SK3-13
DMTH6010SK3-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 16.3A
Existencias disponibles: 181702 pcs
Descargar: DMTH6010SK3-13.pdf
RFQ
DMTH6016LSDQ-13
DMTH6016LSDQ-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
Existencias disponibles: 63069 pcs
Descargar: DMTH6016LSDQ-13.pdf
RFQ
DMTH8012LPSW-13
DMTH8012LPSW-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506
Existencias disponibles: 244136 pcs
Descargar: DMTH8012LPSW-13.pdf
RFQ
DMTT-300
DMTT-300
Fabricantes: Bel
Descripción: XFRMR LAMINATED 300VA CHAS MOUNT
Existencias disponibles: 627 pcs
Descargar: DMTT-300.pdf
RFQ
DMTH8012LPSQ-13
DMTH8012LPSQ-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI
Existencias disponibles: 62672 pcs
Descargar: DMTH8012LPSQ-13.pdf
RFQ
DMTH8012LK3Q-13
DMTH8012LK3Q-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET NCH 80V 50A TO252
Existencias disponibles: 77084 pcs
Descargar: DMTH8012LK3Q-13.pdf
RFQ
DMTH6016LSD-13
DMTH6016LSD-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO
Existencias disponibles: 256301 pcs
Descargar: DMTH6016LSD-13.pdf
RFQ
DMTH8012LPS-13
DMTH8012LPS-13
Fabricantes: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
Existencias disponibles: 174718 pcs
Descargar: DMTH8012LPS-13.pdf
RFQ
DMTT-1000
DMTT-1000
Fabricantes: Bel
Descripción: XFRMR LAMINATED 1000VA CHAS MNT
Existencias disponibles: 295 pcs
Descargar: DMTT-1000.pdf
RFQ

Noticias de la Industria

Rohm agrega 10 mosfets automotrices de SiC
"La introducción de la serie SCT3xxxxxHR permite a Rohm ofrecer la línea más grande de mosfets de...
ON se agrega a los MOSFET de SiC
ON Semiconductor ha introducido dos MOSFET de SiC destinados a aplicaciones de EV, solares y UPS. El...
APEC: TI piensa lateralmente para hacer un chip ac-dc con 15 mW en espera
"Este dispositivo logra el mejor equilibrio entre alta eficiencia y ruido ultra bajo al tiempo que r...
Contenido patrocinado: Analizador de espectro SIGLENT SVA1015X
El analizador de espectro SIGLENT SVA1015X es una herramienta muy potente y flexible para varias med...
Se espera que el gasto de los equipos de fabricación semi disminuya un 14% este año y crezca un 27% el próximo año
Estimulado por una desaceleración en el sector de la memoria, la desaceleración de 2019 marca el f...
Power Stamp Alliance reduce la necesidad de una CPU host para monitorear las unidades de suministro de energía y agrega un diseño de referencia
Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex y STMicroelectronics) ha creado u...
APEC: poder de SiC y herramientas eléctricas mejoradas basadas en la nube
La capacidad de búsqueda se ha mejorado, y hay un menú estilo carrusel que permite seleccionar dis...
Dengrove agrega convertidores de CC / CC que ahorran espacio de Recom
Están diseñados para aplicaciones que requieren alta densidad de potencia y alta eficiencia y tien...
Primer procesador de brazos con calificación militar para aplicaciones de alta fidelidad
LS1046A forma parte de la cartera Arm Layerscape de 64 bits de NXP, con un brazo Cortex-A72 de cuatr...