Diodes Incorporated
| Número de pieza | DMP57D5UFB-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4949 pcs | Ficha de datos | DMP57D5UFB-7.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo) | 425mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 3-UFDFN | Otros nombres | DMP57D5UFB-7-ND DMP57D5UFB-7DITR DMP57D5UFB7 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 29pF @ 4V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 50V | Descripción detallada | P-Channel 50V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
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|---|---|---|
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