DMP21D0UFB-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMP21D0UFB-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3
Especificaciones:	DMP21D0UFB-7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	882441 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 882441 pcs

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Especificaciones de DMP21D0UFB-7

Número de pieza	DMP21D0UFB-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	882441 pcs	Ficha de datos	DMP21D0UFB-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	495 mOhm @ 400mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	430mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	3-UFDFN	Otros nombres	DMP21D0UFB-7DI
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	76.5pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.5nC @ 8V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 770mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	770mA (Ta)

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