DMN65D8LFB-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN65D8LFB-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Especificaciones:	DMN65D8LFB-7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1328201 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1328201 pcs

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Especificaciones de DMN65D8LFB-7

Número de pieza	DMN65D8LFB-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1328201 pcs	Ficha de datos	DMN65D8LFB-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	X1-DFN1006-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3 Ohm @ 115mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	430mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	3-UFDFN	Otros nombres	DMN65D8LFB-7-ND DMN65D8LFB-7DITR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	260mA (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
UPS	www.UPS.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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