DMN61D8LVT-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN61D8LVT-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Especificaciones:	DMN61D8LVT-7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	435782 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 435782 pcs

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Especificaciones de DMN61D8LVT-7

Número de pieza	DMN61D8LVT-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	435782 pcs	Ficha de datos	DMN61D8LVT-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 1mA	Paquete del dispositivo	TSOT-26
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Potencia - Max	820mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	DMN61D8LVT-7DITR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12.9pF @ 12V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.74nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	630mA

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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