DMN6069SFGQ-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN6069SFGQ-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Especificaciones:	DMN6069SFGQ-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	269393 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 269393 pcs

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Especificaciones de DMN6069SFGQ-13

Número de pieza	DMN6069SFGQ-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	269393 pcs	Ficha de datos	DMN6069SFGQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerDI3333-8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	50 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.4W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1480pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	25nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 18A (Tc) 2.4W Surface Mount PowerDI3333-8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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