DMN6013LFG-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN6013LFG-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Especificaciones:	DMN6013LFG-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	238142 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 238142 pcs

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Especificaciones de DMN6013LFG-13

Número de pieza	DMN6013LFG-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	238142 pcs	Ficha de datos	DMN6013LFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerDI3333-8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	13 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2577pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	55.4nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10.3A (Ta), 45A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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