DMN3020LK3-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN3020LK3-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
Especificaciones:	DMN3020LK3-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5482 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5482 pcs

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Especificaciones de DMN3020LK3-13

Número de pieza	DMN3020LK3-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5482 pcs	Ficha de datos	DMN3020LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	20 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.17W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	DMN3020LK3-13DICT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	608pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 11.3A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11.3A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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