DMN26D0UFB4-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN26D0UFB4-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Especificaciones:	DMN26D0UFB4-7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	212000 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 212000 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.155

10 pcs: $0.14

100 pcs: $0.079

500 pcs: $0.042

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Especificaciones de DMN26D0UFB4-7

Número de pieza	DMN26D0UFB4-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 20V 230MA DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	212000 pcs	Ficha de datos	DMN26D0UFB4-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	X2-DFN1006-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	350mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	3-XFDFN	Otros nombres	DMN26D0UFB4-7DICT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14.1pF @ 15V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	N-Channel 20V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	230mA (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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