DMN2300UFB-7B

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN2300UFB-7B
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Especificaciones:	DMN2300UFB-7B.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	908825 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 908825 pcs

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Especificaciones de DMN2300UFB-7B

Número de pieza	DMN2300UFB-7B	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	908825 pcs	Ficha de datos	DMN2300UFB-7B.pdf
VGS (th) (Max) @Id	950mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	X1-DFN1006-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	175 mOhm @ 300mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	468mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	3-UFDFN	Otros nombres	DMN2300UFB-7BDI
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	67.62pF @ 20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.89nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 1.32A (Ta) 468mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.32A (Ta)

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