DMG8880LSS-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMG8880LSS-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Especificaciones:	DMG8880LSS-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	207818 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 207818 pcs

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Especificaciones de DMG8880LSS-13

Número de pieza	DMG8880LSS-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	207818 pcs	Ficha de datos	DMG8880LSS-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	10 mOhm @ 11.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.43W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	1034-DMG8880LSS-13DICT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1289pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	27.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 11.6A (Ta) 1.43W (Ta) Surface Mount 8-SOP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11.6A (Ta)

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