DMG4800LFG-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMG4800LFG-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Especificaciones:	DMG4800LFG-7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	185852 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 185852 pcs

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Especificaciones de DMG4800LFG-7

Número de pieza	DMG4800LFG-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	185852 pcs	Ficha de datos	DMG4800LFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	U-DFN3030-8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	17 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	940mW (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerUDFN	Otros nombres	DMG4800LFG-7DIDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	798pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9.47nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 7.44A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.44A (Ta)

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