DMG3414U-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMG3414U-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Especificaciones:	DMG3414U-7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	596297 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 596297 pcs

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Especificaciones de DMG3414U-7

Número de pieza	DMG3414U-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	596297 pcs	Ficha de datos	DMG3414U-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	900mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	780mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	DMG3414U-7DITR DMG3414U7
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	829.9pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9.6nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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