BSP75GQTA

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	BSP75GQTA
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Especificaciones:	BSP75GQTA.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	149959 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149959 pcs

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Especificaciones de BSP75GQTA

Número de pieza	BSP75GQTA	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	149959 pcs	Ficha de datos	BSP75GQTA.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	-
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-223
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	550 mOhm @ 700mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-261-4, TO-261AA	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 1.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount SOT-223	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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