| Número de pieza | CYDM256B16-55BVXI | Fabricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 9348 pcs | Ficha de datos | CYDM256B16-55BVXI.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 55ns | Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 2.7 V ~ 3.3 V |
| Tecnología | SRAM - Dual Port, MoBL | Paquete del dispositivo | 100-VFBGA (6x6) |
| Serie | - | embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 100-VFBGA | Otros nombres | 428-4165 CYDM256B16-55BVXI-ND CYDM256B1655BVXI |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 256Kb (16K x 16) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | SRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 55ns 100-VFBGA (6x6) | Número de pieza base | CYDM |
| Tiempo de acceso | 55ns |
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|---|---|---|
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