| Número de pieza | CY7C1019DV33-10VXI | Fabricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 19241 pcs | Ficha de datos | CY7C1019DV33-10VXI.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 10ns | Suministro de voltaje | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnología | SRAM - Asynchronous | Paquete del dispositivo | 32-SOJ |
| Serie | - | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) | Otros nombres | 428-1966-5 CY7C1019DV33-10VXI-ND CY7C1019DV3310VXI |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | SRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 10ns 32-SOJ | Número de pieza base | CY7C1019 |
| Tiempo de acceso | 10ns |
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|---|---|---|
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