CY14V116N-BZ30XIT

Cypress Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	CY14V116N-BZ30XIT
Fabricante / Marca:	Cypress Semiconductor
Descripción del producto	IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA
Especificaciones:	CY14V116N-BZ30XIT.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1546 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1546 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $18.587

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Especificaciones de CY14V116N-BZ30XIT

Número de pieza	CY14V116N-BZ30XIT	Fabricante	Cypress Semiconductor
Descripción	IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1546 pcs	Ficha de datos	CY14V116N-BZ30XIT.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	30ns	Suministro de voltaje	1.7 V ~ 3.6 V
Tecnología	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Paquete del dispositivo	165-FBGA (15x17)
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	165-LBGA	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Non-Volatile	Tamaño de la memoria	16Mb (1M x 16)
Interfaz de memoria	Parallel	Formato de memoria	NVSRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descripción detallada	NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns 165-FBGA (15x17)
Tiempo de acceso	30ns

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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