Número de pieza | CY14E256LA-SZ25XI | Fabricante | Cypress Semiconductor |
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Descripción | IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 3893 pcs | Ficha de datos | CY14E256LA-SZ25XI.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 25ns | Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | Paquete del dispositivo | 32-SOIC |
Serie | - | embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | Otros nombres | 428-3622-5 CY14E256LA-SZ25XI-ND CY14E256LASZ25XI |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) | Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | NVSRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 25ns 32-SOIC | Número de pieza base | CY14*256 |
Tiempo de acceso | 25ns |
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