| Número de pieza | CY14B101NA-ZS25XI | Fabricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC NVSRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4474 pcs | Ficha de datos | CY14B101NA-ZS25XI.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 25ns | Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | Paquete del dispositivo | 44-TSOP II |
| Serie | - | embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | Otros nombres | 428-3397 CY14B101NA-ZS25XI-ND CY14B101NAZS25XI |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 1Mb (64K x 16) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | NVSRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 25ns 44-TSOP II | Número de pieza base | CY14B101 |
| Tiempo de acceso | 25ns |
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|---|---|---|
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