| Número de pieza | CXDM1002N TR | Fabricante | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 194605 pcs | Ficha de datos | CXDM1002N TR.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | 20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-89 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 300 mOhm @ 2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.2W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-243AA | Otros nombres | CXDM1002N TR LEAD FREE CXDM1002N TR PBFREE CXDM1002N TR-ND CXDM1002NTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
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