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Central Semiconductor
| Número de pieza | CTLDM3590 TR | Fabricante | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 126975 pcs | Ficha de datos | CTLDM3590 TR.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | 8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TLM3D6D8 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 125mW (Ta) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 3-XFDFN | Otros nombres | CTLDM3590 CT CTLDM3590 CT-ND CTLDM3590CT |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.46nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 160mA (Ta) |
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|---|---|---|
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