AON6200L

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AON6200L
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN
Especificaciones:
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5946 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5946 pcs

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Especificaciones de AON6200L

Número de pieza	AON6200L	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5946 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-DFN (5x6)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	7.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.95W (Ta), 35W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerSMD, Flat Leads	Otros nombres	785-1397-2 AON6200
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 13A (Ta), 24A (Tc) 1.95W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 24A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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