AOH3110

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AOH3110
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
Especificaciones:	1.AOH3110.pdf 2.AOH3110.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2740 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2740 pcs

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Especificaciones de AOH3110

Número de pieza	AOH3110	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CH 100V 1A SOT223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2740 pcs	Ficha de datos	1.AOH3110.pdf 2.AOH3110.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.9V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-223
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	700 mOhm @ 900mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-261-4, TO-261AA	Otros nombres	785-1486-1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 1A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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