AOD4S60

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AOD4S60
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Especificaciones:	1.AOD4S60.pdf 2.AOD4S60.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	72420 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72420 pcs

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Especificaciones de AOD4S60

Número de pieza	AOD4S60	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CH 600V 4A TO252	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	72420 pcs	Ficha de datos	1.AOD4S60.pdf 2.AOD4S60.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252, (D-Pak)
Serie	aMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	900 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	56.8W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	785-1265-6
Temperatura de funcionamiento	-50°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	263pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 4A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

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Después de las ventas
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